光迅科技正谋求在中高端光电子芯片上取得突破。停牌数日后，公司12月8日晚发布非公开发行股票预案，拟募资不超过6.30亿元，投入宽带网络核心光电子芯片与器件产业化项目。 根据定增预案，本次非公开发行底价为27.31元/股，拟向不超过10名特定对象发行2307万股。通过本次募投项目的实施，公司产品线将从2.5G以下的普通光电子器件逐渐扩大升级至10G、40G及以上速率的中高端产品。 随着“宽带中国”战略的推进及4G时代的来临，市场对光电子芯片高速率的需求不断增大。而即便作为我国光电子器件领域的龙头企业，光迅科技虽然在芯片技术上是国内产业化最成功的企业，但目前产品仍主要集中于2.5G以下的中低端芯片上。未来市场竞争公司必须及时调整产品结构，大力发展中高端、高速芯片技术及产品。 “我们目前已完成了在10G至40G中高端光电子芯片上的技术积累，当务之急是尽快大规模产业化。”公司方面向中国证券网记者介绍。 根据预案，本次募投将针对数个市场急需的目标产品。项目产能包括年产150.60万只10G发射器件、年产84.00万只10G接收器件、年产4.80万只25G发射器件以及年产0.96万只40G接收器件。项目建设期为2年，全部达产后预计新增年销售收入7.63亿元，年新增利润1.39亿元。 “我们的目标是发展‘中国芯’，生产具有自主知识产权的中高端芯片，并以此为核心生产中高端光电子器件，进而打破国外垄断。”公司方面表示。 |